STM32Cube HAL库——利用PWM控制电机转动（TB6612、L298N）
STM32Cube HAL库——利用PWM控制电机转动（TB6612、L298N） 一、电机控制原理 1.H桥H桥是一个相当简单的电路，包含四个开关元件，负载位于中心，呈H形配置： 
开关元件（Q1,Q2,Q3,Q4）通常是双极或FET晶体管，在一些高压应用中为IGBT。集成解决方案也存在，但开关元件是否与其控制电路集成与本文讨论无关。二极管（D1,D2,D3,D4）称为捕获二极管，通常为肖特基型。
电桥的顶端连接到电源（例如电池），底端接地。一般来说，所有四个开关元件都可以独立打开和关闭，尽管有一些明显的限制。
虽然理论上负载可以是您想要的任何负载，但到目前为止，如果 H 桥是使用有刷直流或双极步进电机（步进器每个电机需要两个 H 桥）负载，则最普遍的应用。在下文中，我将重点介绍作为有刷直流电机驱动器的应用。
H桥的基本工作模式相当简单：如果Q1和Q4导通，电机的左引线将连接到电源，而右引线将接地。电流开始流过电机，电机沿（假设）向前方向激励电机，电机轴开始正向旋转。 
如果Q2和Q3打开，则会发生相反的情况，电机在相反方向上通电，轴将开始向后旋转。 
在桥中，切勿同时关闭 Q1 和 Q2（或 Q3 和 Q4）。如果你这样做了，你就在电源和GND之间创建了一个非常低的电阻路径，有效地短路了你的电源。这种情况称为“击穿”，几乎可以保证快速破坏您的桥梁或电路中的其他东西。
停止方式： （1）关闭 Q1 和 Q4 ，这时候电流仍然会通过反向续流二极管进行流动，此时短暂打开 Q1 和 Q3 从而达到快速衰减电流的目的。 
（2）准备停止的时候，关闭 Q1 ，打开 Q2，这时候电流并不会衰减地很快，电流循环在Q2，M，Q4之间流动，通过MOS-FET的内阻将电能消耗掉。 
关于H桥的内容就介绍到这（知道这些就足够了），如果想进一步了解请看其它博客。 以上资料来自：modular circuits
TB6612FNG 是东芝半导体公司生产的一款直流电机驱动器件，它具有大电流MOSFET-H 桥结构，双通道电路输出，可同时驱动 2 个电机。相比于 L298N的热耗性和外围二极管续流电路，TB6612FNG无需外加散热片，外围电路简单，只需外接电源滤波电容就可以直接驱动电机，利于减小系统尺寸。对于PWM信号输入频率范围，通常采用10KHz的频率，并通过改变占空比调节电机的速度。
L298N，是一款接受高电压的电机驱动器，直流电机和步进电机都可以驱动。一片驱动芯片可同时控制两个直流减速电机做不同动作，在6V到46V的电压范围内，提供2安培的电流，并且具有过热自断和反馈检测功能。L298N可对电机进行直接控制，通过主控芯片的I/O输入对其控制电平进行设定，就可为电机进行正转反转驱动，操作简单、稳定性好，可以满足直流电机的大电流驱动条件。 
本例选择MG513P3012V电机。规格如下图： 
关于电机驱动的内容就介绍到这（知道这些就足够了），如果想进一步了解请看其它博客。
本例中使用电机驱动TB6612（原理一样）作演示。
1.确定引脚查看原理图，确定引脚。（查看确定TIM1的通道，这里选择通道1和4） 
本例中AIN1、AIN2、PWMA分别选PB5、PA15、PA11；BIN1、BIN2、PWMB分别选PB4、PA12、PA8。 
PB5、PA15、PB4、PA12引脚选择GPIO_Output，并改名。 
Timer中选择TIM1，选择通道1和通道4，并改名。（具体如下图） 
最后生成代码。
按照以前一篇文章第三部分提到的方法（一定要包含进编程文件夹中，否则无法运行），建立文件夹。如下： 
将一下文件粘贴进新建的文件夹中（按照自己选择的TIM和通道进行编程，需要修改）： motor.c: