晶圆在光刻机里的工艺流程如图 1 所示。晶圆经过涂胶和烘烤后被传送到光刻机里，放置在晶圆工件台上；同时，掩模被放置在光刻机的掩模工件台上。光刻机的晶圆对准系统首先会调整晶圆的位置，使之与晶圆工件台初步对准；掩模对准系统也会调整掩模的位置，使之与掩模工件台初步对准。然后，光刻机的对准系统(alignment system)做掩模与晶圆的对准。这一对准过程一般可以分成两步来做：先是粗对准(coarse alignment)，然后是精细对准(fine alignment)。粗对准只需要使用 2 个对准标记， 一般是选取晶圆上两个相距较远的对准标记。 精细对准则需要测量多个对准标记，一般至少是 20 个。 通过对多个对准标记的定位，对准系统可以计算出曝光时的准确位置，以实现极小的套刻误差(overlay)。光刻机的对准系统还可以接受外部输入的参数，对曝光位置做进一步的校正。先进光刻机要求有极高的对准精度，而对准精度(alignment precision， AP)与所需要测量的对准标记数目(N)成反比，即测量的标识越多，所能达到的对准精度越高[1]。
图1 光刻机曝光的工作流程示意图
对准方法(alignment strategy)
设定哪些对准标记用于粗对准，哪些用于精细对准，以及它们所在的位置。对准操作时需要测量多少对准标识。曝光位置网格的修正(wafer grid correction)和曝光区域内部的修正(intra-field correction)参数设置[1]。
切割道上光刻对准标记图形
光刻对准标记是置于光罩和圆片上用来确定它们的位置和方向的可见图形。标记也被称做指示或基准标记，可能是光罩上的一根或多根线标记在光刻到硅片上后就形成沟槽。如果对准标记的宽度过宽，化学机械研磨的碟形效应有可能会使对准标记损坏。因此，通常光罩上都会放至少两组不同尺寸的对准标记(见图2)，以防其中的一组被损坏而导致无法对准[2]
图2 切割道上光刻对准标记图形
参考文献：
[1]韦亚一，超大规模集成电路先进光刻理论与应用，科学出版社，2016，81-83，
[2]芯片制作过程中切割道光刻对准标记的优化，刘丽丽，电子与封装，2013，19-19